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  • MCT光伏探測(cè)模塊 2-12μm
    MCT光伏探測(cè)模塊 2-12μm

    10.6μm中紅外通用光浸式MCT光伏探測(cè)模塊 2-12μm是基于MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的光浸沒(méi)光伏探測(cè)器,集成了跨阻、可編程前置放大器。3 °楔形硒化鋅增透涂層窗戶防止不必要的干擾效果。

    更新時(shí)間:2023-06-29型號(hào):訪問(wèn)量:822
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  • 超高速M(fèi)CT光浸式紅外光伏探測(cè)模塊
    超高速M(fèi)CT光浸式紅外光伏探測(cè)模塊

    超高速M(fèi)CT光浸式紅外光伏探測(cè)模塊 3.0 - 12.0 μm是基于MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的熱電冷卻光浸沒(méi)式光伏探測(cè)器,在緊湊的外殼中集成了跨阻、交流耦合前置放大器、風(fēng)扇和熱電冷卻控制器。

    更新時(shí)間:2023-06-29型號(hào):訪問(wèn)量:717
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  • MCT光伏探測(cè)模塊3-7.5μm
    MCT光伏探測(cè)模塊3-7.5μm

    6μm中紅外通用光浸式MCT光伏探測(cè)模塊3-7.5μm是基于MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的光浸沒(méi)光伏探測(cè)器,集成了跨阻、可編程前置放大器。3 °楔形硒化鋅增透涂層窗戶防止不必要的干擾效果。

    更新時(shí)間:2023-06-29型號(hào):訪問(wèn)量:739
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  • PN#MP-Si-8-TO88mm大光敏面硅(Si)硅光電探測(cè)器
    PN#MP-Si-8-TO88mm大光敏面硅(Si)硅光電探測(cè)器

    8mm大光敏面硅(Si)硅光電探測(cè)器在反向偏置條件下工作。峰值波長(zhǎng)在 940nm 左右,光譜探測(cè)范圍從 400nm~1100nm。

    更新時(shí)間:2022-08-08型號(hào):PN#MP-Si-8-TO8訪問(wèn)量:985
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  • GD5210Y-2-2-TO46905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm
    GD5210Y-2-2-TO46905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm

    905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm光譜響應(yīng)范圍從可見(jiàn)光到近紅外,峰值響應(yīng)波長(zhǎng)905nm。大光敏面,高速響應(yīng),高增益,低噪聲。

    更新時(shí)間:2022-08-08型號(hào):GD5210Y-2-2-TO46訪問(wèn)量:2169
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  • MIR QWIP亞太赫茲超快探測(cè)器ULTRAFAST
    MIR QWIP亞太赫茲超快探測(cè)器ULTRAFAST

    亞太赫茲超快探測(cè)器ULTRAFAST 總覽 TeraSense的超快探測(cè)器ULTRAFAST,通過(guò)直接觀察其脈沖響應(yīng)函數(shù)證實(shí)響應(yīng)時(shí)間小于150 ps。用廣譜范圍為0.1至3THz的,200nJ、1ps的激光脈沖激發(fā)該探測(cè)器,其響應(yīng)由高速示波器記錄。響應(yīng)功能顯示了由示波器4 GHz帶寬限制的150 ps的上升和下降時(shí)間。測(cè)量的短響應(yīng)時(shí)間使得我們的探測(cè)器可以直接研究THz科學(xué)和電信中的快速瞬態(tài)過(guò)程。

    更新時(shí)間:2024-09-06型號(hào):MIR QWIP訪問(wèn)量:899
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  • 中紅外熱電冷卻光電導(dǎo)HgCdTe探測(cè)器
    中紅外熱電冷卻光電導(dǎo)HgCdTe探測(cè)器

    中紅外熱電冷卻光電導(dǎo)HgCdTe探測(cè)器是一種熱電冷卻光電導(dǎo)HgCdTe(碲鎘汞,MCT)探測(cè)器。這種材料對(duì)2.0到15 μm的中紅外光譜波段光波敏感。 中紅外熱電冷卻光電導(dǎo)HgCdTe(碲鎘汞,MCT)探測(cè)器 2.0 - 15μm / 450KΩ

    更新時(shí)間:2022-08-08型號(hào):訪問(wèn)量:818
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  • MCT-PCI-2TE-5-2×2MCT兩級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器
    MCT-PCI-2TE-5-2×2MCT兩級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器

    1-15μm中紅外光浸沒(méi)式MCT兩級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-2TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級(jí)熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器,采用光學(xué)浸沒(méi)來(lái)提高器件的性能,具有好的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λ_opt條件下性能達(dá)到好。截止波長(zhǎng)受GaAs透過(guò)率(~0.9μm)的限制。設(shè)備應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。

    更新時(shí)間:2022-08-08型號(hào):MCT-PCI-2TE-5-2×2訪問(wèn)量:630
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