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InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)

簡(jiǎn)要描述:InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)

InGaAs 雪崩光電二極管(APD)是短波近紅外單 光子檢測(cè)的專用器件,可滿足量子通信、弱光探測(cè)等領(lǐng) 域?qū)Ω咝实驮肼晢喂庾訖z測(cè)的技術(shù)需求,實(shí)現(xiàn)對(duì)0.9 ~ 1.7μm波長(zhǎng)的單光子探測(cè)。

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間:2022-09-14
  • 訪  問(wèn)  量:966

詳細(xì)介紹

品牌其他品牌產(chǎn)地類別進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域化工,能源,建材,電子

InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)

InGaAs 雪崩光電二極管(APD)是短波近紅外單 光子檢測(cè)的專用器件,可滿足量子通信、弱光探測(cè)等領(lǐng) 域?qū)Ω咝实驮肼晢喂庾訖z測(cè)的技術(shù)需求,實(shí)現(xiàn)對(duì)0.9 ~ 1.7μm波長(zhǎng)的單光子探測(cè)。

光譜響應(yīng)
900-1700nm
響應(yīng)度
@1550nm 0.85 A/W
技術(shù)參數(shù)

線性模式參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)

IGA-APD-GM104-R

參數(shù)

符號(hào)

單位

測(cè)試條件

最小

典型

最大

反向擊穿電壓

VBR

V

22±3 ,ID =10μA

60

80

90

響應(yīng)度

Re

A/W

22±3 ,λ =1550nm M =1

0.8

0.85


暗電流

ID

nA

22±3 ,M =10


0.1

0.3

電容

C

pF

22±3 ,M =10, f=1MHz



0.25

擊穿電壓溫度 系數(shù)

η

V/K

-40 ~80℃,ID =10μA



0.15


蓋革模式參數(shù)


參數(shù)

單位

測(cè)試條件

最小

典型

最大

單光子探測(cè)效 率PDE

%

-45 ,λ =1550nm 0.1ph/pulse

泊松分布單光子源

20



暗計(jì)數(shù)率DCR

kHz

-45℃ ,1ns門寬, 2MHz門控重頻,1MHz光重頻,PDE=20%



 

20*

后脈沖概率 APP


-45℃ ,1ns門寬, 2MHz門控重頻,1MHz光重頻,PDE=20%



 

1× 10-3

時(shí)間抖動(dòng)Tj

ps

-45℃ ,1ns 門 寬 ,2MHz門控重頻,PDE=20%



100

* 可提供不同等級(jí)規(guī)格產(chǎn)品

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 光譜響應(yīng)范圍0.9~1.7μm 

● 高探測(cè)效率、低暗計(jì)數(shù)率 

● 3 pin TO46

尺寸規(guī)格

TO46 (尾纖封裝)

APD1.png

產(chǎn)品應(yīng)用

● 弱光探測(cè)

● 量子保密通信 

● 生物醫(yī)療

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