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光纖耦合超輻射發(fā)光二極管 SLD 1000nm 25mW

簡要描述:光纖耦合超輻射發(fā)光二極管 SLD 1000nm 25mW

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質:經(jīng)銷商
  • 更新時間:2023-06-05
  • 訪  問  量:798

詳細介紹

品牌其他品牌價格區(qū)間面議
組成要素半導體激光器產(chǎn)品及設備產(chǎn)地類別進口
應用領域化工,建材,電子
總覽

Superluminescent Diodes (SLD) 超輻射發(fā)光二極管 是介于激光器(LD)和發(fā)光二極管(LED)之間的一種半導體光電器件,與激光二極管類似,超輻射發(fā)光二極管基于電驅動pn結,當正向偏置時,該pn結具有光學活性,并在寬波長范圍內(nèi)產(chǎn)生放大的自發(fā)發(fā)射。SLD的峰值波長和強度取決于活性材料成分和注入電流水平。SLD被設計為對沿著波導產(chǎn)生的自發(fā)發(fā)射具有高的單程放大,但與激光二極管不同,反饋不足以實現(xiàn)激光作用。這是通過傾斜波導和防反射涂層刻面的共同作用非常成功地獲得的。

SLD是具有相當寬的光學帶寬的光源。它們不同于光譜非常窄的激光器和光譜寬度大得多的白色光源。這種特性主要反映在光源的低時間相干性上(這是發(fā)射的光波隨時間保持相位的有限能力)。然而,SLD可能表現(xiàn)出高度的空間相干性,這意味著它們可以有效地耦合到單模光纖中。一些應用利用SLD源的低時間相干性來實現(xiàn)成像技術中的高空間分辨率。相干長度是一個經(jīng)常用來表征光源的時間相干的量。它與光學干涉儀兩臂之間的路徑差有關,在該干涉儀上光波仍然能夠產(chǎn)生干涉圖案。

一方面,SLD是經(jīng)過優(yōu)化以產(chǎn)生大量放大自發(fā)發(fā)射(ASE)的半導體器件。為了做到這一點,它們結合了高功率增益部分,其中以30dB或更高的高增益因子放大種子自發(fā)發(fā)射。另一方面,SLD缺乏光學反饋,因此不可能發(fā)生激光作用。通過使小面相對于波導傾斜來抑制從光學部件(例如連接器)到腔中的光的背反射產(chǎn)生的光學反饋,并且可以通過抗反射涂層來進一步抑制。避免了共振器模式的形成,從而避免了光譜中明顯的結構和/或光譜變窄。


光纖耦合超輻射發(fā)光二極管 SLD 1000nm 25mW,光纖耦合超輻射發(fā)光二極管 SLD 1000nm 25mW
型號參數(shù)

產(chǎn)品特點:

超寬帶ASE光譜(950-1050nm)

低紋波

強偏振

單獨老化和熱循環(huán)篩選

符合RoHS


應用:

光纖傳感器

儀器儀表

光譜學


規(guī)格

測試條件:連續(xù)工作,芯片溫度25°C,外殼安裝在室溫散熱器上

參數(shù)

符號.

最小值.

典型值.

最大值.

單位

工作輸出功率

Pout

15

25


mW

平均波長

λm

985

1000

1015

nm

帶寬 @ -3dB

Δλ

80

100


nm

譜傾角振幅



1

3

dB

基態(tài)最大位置

λg

1015

1030

1045

nm

激發(fā)態(tài)最大位置

λe

940

955

970

nm

ASE譜波紋*



0.02

0.3

dB

偏振消光比

PER

15

20


dB

操作電流

Iop


600

700

mA

正向電壓

Vf


1.7

1.9

V

上升時間

Trise


0.15


ns

下降時間

Tfall


0.5


ns

* RMS在1nm范圍在ASE最大,10pm分辨率


典型性能僅供參考

測試條件:連續(xù)工作,芯片溫度25°C,外殼安裝在室溫散熱器上


360截圖20230417140331134.jpg



絕對最大額定參數(shù)

參數(shù)

最小值

最大值

單位

SLD 反向電壓

-

2

V

SLD 連續(xù)波正向電流

-

900

mA

熱電冷卻器電流

-

3

A

熱電冷卻器電壓

-

4

V

光纖彎曲半徑

3

-

cm

芯片工作溫度范圍

5

40

°C

外殼工作溫度

0

70

°C

存儲溫度范圍

-40

85

°C


熱敏電阻規(guī)格

光纖規(guī)格

參數(shù)

數(shù)值

單位

參數(shù)

HI1060

PM980

單位

熱敏電阻 典型

NTC

-

NA 典型

0.14

0.12


電阻 @25°C

10 ± 0.1

kOhm

截止波長

920±50

900±70

nm

Beta 0-50°C

3375±1%

K

模場直徑@1060nm

6.2±0.3

6.6±0.3

μm

包層直徑 

125±1

125±1

μm

涂覆層直徑

245±15

245±15

μm

長度(每個端口)

1.0 ± 0.1

m

接口

FC/APC(narrow key)


連接器對準熊貓型光纖:



輸出光沿PM光纖的慢軸偏振。


尺寸 (單位:毫米)


搜狗截圖20230417140659.png





通用參數(shù)

光纖耦合SLD典型參數(shù)

型號平均波長頻寬FWHM輸出功率最大波長頻譜下降

波紋,均方根值

Ripples RMS1
偏振消光比PER工作電流
nmnmmWnmdBdBdBmA
SLD-1000-100-YY-25100010025955, 103010.0220600
SLD-1030-120-YY-15103012015970, 105040.0220550
SLD-1030-20-YY-1501030201301030
0.0420800
SLD-1050-90-YY-35105090351050
0.220700
SLD-1060-20-YY-1501065251301060
0.0520800
SLD-1060-20-YY-3001060203001060
0.3201600
SLD-1064-20-YY-3501064203501164

18750
SLD-1080-30-YY-1001080301001080
0.0520800
SLD-1130-20-YY-30113027301125
0.0320300
SLD-1140-85-YY-111408511110, 117040.0520400
SLD-1190-90-YY-111909011160, 122550.0220300
SLD-1250-110-YY-5125011051210, 128060.0520800
SLD-1280-50-YY-112805011280
0.0220400

1– @ ASE 最大值,RMS 在 1 nm 范圍內(nèi),10pm 分辨率

780-1330 nm范圍內(nèi)的任何定制波長都是可能的。



波長功率密度曲線


SLD_ASE_spectra.png


注意:

這種設備發(fā)出的光是看不見的,可能對人眼有害。設備運行時,避免直視光纖連接器。在連接器打開的情況下操作時,必須佩戴合適的激光安全眼鏡。

絕對最大額定值只能在短時間內(nèi)應用于設備。長時間暴露于最大額定值或暴露于一個以上的最大額定值可能會導致設備損壞或影響設備的可靠性。在最大額定值之外操作設備可能會導致設備故障或安全隱患。必須使用與部件一起使用的電源,以確保不會超過最大正向電流。散熱器上的設備需要一個合適的散熱器。該裝置必須使用4個螺釘(以X型方式擰緊,初始扭矩設置為0.075Nm,最終X型螺栓擰緊為0.15Nm)或夾具安裝在散熱器上。散熱器表面的平面度偏差必須小于0.05mm。建議在外殼底部和散熱器之間使用銦箔或導熱軟材料作為熱接口。為此不希望使用導熱油脂避免設備背面反射。它可能會在頻譜和功率穩(wěn)定性方面對設備性能產(chǎn)生影響。它也可能造成致命的關節(jié)面損傷。強烈建議使用光學隔離器來阻擋背面反射。




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