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當(dāng)前位置:首頁(yè)  >  產(chǎn)品展示  >  光電探測(cè)器  >  InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器

  • 銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測(cè)器 800-1700nm (2MHz)
    銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測(cè)器 800-1700nm (2MHz)

    銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測(cè)器 800-1700nm (140MHz)銦鎵砷(InGaAs)光電探測(cè)器是一種額定帶寬,固定增益的光電探測(cè)器,用于檢測(cè)光信號(hào)。光信號(hào)從光電sensor感應(yīng)面輸入,輸出通過(guò)BNC以電壓形式輸出。

    更新時(shí)間:2022-09-09型號(hào):訪問(wèn)量:786
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  • 銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測(cè)器 800-1700nm (140MHz)
    銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測(cè)器 800-1700nm (140MHz)

    銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測(cè)器 800-1700nm (140MHz)銦鎵砷(InGaAs)光電探測(cè)器是一種額定帶寬,固定增益的光電探測(cè)器,用于檢測(cè)光信號(hào)。光信號(hào)從光電sensor感應(yīng)面輸入,輸出通過(guò)BNC以電壓形式輸出。

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  • 銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測(cè)器 800-1700nm (25MHz)
    銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測(cè)器 800-1700nm (25MHz)

    銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測(cè)器 800-1700nm (25MHz) 銦鎵砷(InGaAs)光電探測(cè)器是一種額定帶寬,固定增益的光電探測(cè)器,用于檢測(cè)光信號(hào)。光信號(hào)從光電sensor感應(yīng)面輸入,輸出通過(guò)BNC以電壓形式輸出。

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  • 銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測(cè)器 800-1700nm (12MHz)
    銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測(cè)器 800-1700nm (12MHz)

    銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測(cè)器 800-1700nm (12MHz) 銦鎵砷(InGaAs)光電探測(cè)器是一種額定帶寬,固定增益的光電探測(cè)器,用于檢測(cè)光信號(hào)。光信號(hào)從光電sensor感應(yīng)面輸入,輸出通過(guò)BNC以電壓形式輸出。

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  • XBD-200M-60K-A銦鎵砷 InGaAs 蝶形封裝低噪聲光電平衡探測(cè)器 1100~1700nm
    XBD-200M-60K-A銦鎵砷 InGaAs 蝶形封裝低噪聲光電平衡探測(cè)器 1100~1700nm

    銦鎵砷 InGaAs 蝶形封裝低噪聲光電平衡探測(cè)器 1100~1700nm 應(yīng)用領(lǐng)域: 分布式光纖傳感 ,包含ψ-OTDR,C-OTDR,DAS等 激光測(cè)風(fēng)雷達(dá) 光學(xué)相干層析 其他應(yīng)用

    更新時(shí)間:2024-08-13型號(hào):XBD-200M-60K-A訪問(wèn)量:682
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  • 銦鎵砷 InGaAs雪崩光電平衡探測(cè)器 350MHz (800~1700nm)
    銦鎵砷 InGaAs雪崩光電平衡探測(cè)器 350MHz (800~1700nm)

    銦鎵砷 InGaAs雪崩光電平衡探測(cè)器 350MHz (800~1700nm)高速低噪聲雪崩光電探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度控制

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  • ET-3500F美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器
    ET-3500F美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器

    美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器:材料:InGaAs 上升/下降時(shí)間:<25ps/<25ps; 響應(yīng)度:0.65A/W@1300nm; 帶寬:>15GHz; 有效面積直徑:32um; 輸出連接:SMA 光纖連接 FC/UPC,SMF28e

    更新時(shí)間:2022-08-08型號(hào):ET-3500F訪問(wèn)量:1894
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  • ET-5000F美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器
    ET-5000F美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器

    美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器:材料:InGaAs 上升/下降時(shí)間:<28ps/<28ps; 響應(yīng)度:0.9A/W@2000nm; 帶寬:>10GHz; 有效面積直徑:40um; 輸出連接:SMA 光纖連接,FC/UPC

    更新時(shí)間:2022-08-08型號(hào):ET-5000F訪問(wèn)量:1751
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