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銦鎵砷 InGaAs InGaAs PIN光電二極管 φ2mm InGaAs 光電二極管主要用于近紅外探測，具有高速、高靈敏度、低噪音、寬廣普響應范圍（0.5 μm to 2.6 μm）等特點。
銦鎵砷 InGaAs InGaAs PIN光電二極管 φ0.3mm InGaAs 光電二極管主要用于近紅外探測，具有高速、高靈敏度、低噪音、寬廣普響應范圍（0.5 μm to 2.6 μm）等特點。
銦鎵砷 InGaAs InGaAs PIN光電二極管 φ3mm InGaAs 光電二極管主要用于近紅外探測，具有高速、高靈敏度、低噪音、寬廣普響應范圍（0.5 μm to 2.6 μm）等特點。
2mm大光敏面InGaSe光電探測器是一個全色PIN光電二極管，截止波長高達2700nm。它使用的是InGaAs材料，三元化合物半導體InGaAs材料用于制作各種光電器件，材料本身性能穩(wěn)定。
便于客戶供電即用，探測器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應，從而扭曲光電二極管的時域響應。因此，我們建議使光入射在有效面積中心。為此，可以在探測器前放置聚焦透鏡或者針孔 半導體激光二極管。 超大光敏面 銦鎵砷(InGaAs)PIN結(jié)二極管(PD) 光電二極管（10mm）近紅外波長
